Säitebanner

Vakuumfutter op Basis vu Siliziumkarbid (SiC) fir Héichtemperatur- a Plasmaëmfeld

Vakuumfutter op Basis vu Siliziumkarbid (SiC) fir Héichtemperatur- a Plasmaëmfeld

Kuerz Beschreiwung:

De SiC-baséierte Keramikfutter vu St.Cera gëtt aus héichreinem Siliziumcarbid (Charge S1111, SiC 99,72%, fräit Si 0,05%) hiergestallt. E liwwert eng gemoossen Biegefestigkeit vu 449 MPa, eng Bruchsehegkeet vun 3,12 MPa·m¹/² an en Elastizitéitsmodul vu 457 GPa. Déi typesch Wärmeleitfäegkeet vum Material (120–150 W/m·K) an déi niddreg thermesch Expansioun (4,0–4,5×10⁻⁶/℃) erméiglechen eng séier Temperaturrampfung a minimal Wafer-Verzerrung während dem thermesche Zyklus. De Futter kann als poréise Vakuumfutter (gläichméissege Gasstroum) oder als gerillte Standardfutter konfiguréiert ginn. Mat enger maximaler Notzungstemperatur vun 1600–1700°C (ouni Belaaschtung) an aussergewéinlecher Plasmaerosiounsbeständegkeet ass dëse Futter ideal fir Héichtemperatur-Waferveraarbechtung (Glühen, RTP) an aggressiv Ätzkammeren, wou Aluminiumoxidfutter ofbauen.


Produktdetailer

Produkt Tags

De SiC-baséierte Keramikfutter vu St.Cera gëtt aus héichreinem Siliziumcarbid (Charge S1111, SiC 99,72%, fräit Si 0,05%) hiergestallt. E liwwert eng gemoossen Biegefestigkeit vu 449 MPa, eng Bruchsehegkeet vun 3,12 MPa·m¹/² an en Elastizitéitsmodul vu 457 GPa. Déi typesch Wärmeleitfäegkeet vum Material (120–150 W/m·K) an déi niddreg thermesch Expansioun (4,0–4,5×10⁻⁶/℃) erméiglechen eng séier Temperaturrampfung a minimal Wafer-Verzerrung während dem thermesche Zyklus. De Futter kann als poréise Vakuumfutter (gläichméissege Gasstroum) oder als gerillte Standardfutter konfiguréiert ginn. Mat enger maximaler Notzungstemperatur vun 1600–1700°C (ouni Belaaschtung) an aussergewéinlecher Plasmaerosiounsbeständegkeet ass dëse Futter ideal fir Héichtemperatur-Waferveraarbechtung (Glühen, RTP) an aggressiv Ätzkammeren, wou Aluminiumoxidfutter ofbauen.

 

Spezifikatiounen(baséiert op dem geliwwerte SiC S1111 Testbericht & typesche Wäerter):

Immobilie Wäert
Material SiC (99,72% SiC, 0,05% fräit Si)
Dicht 3,10–3,15 g/cm³
Waasserabsorptioun 0%
Biegfestigkeit 449 MPa
Bruchstähigkeit 3,12 MPa·m¹/²
Elastizitéitsmodul 457 GPa
Vickers-Härkeet 25–28 GPa
Wärmeleitfäegkeet 120–150 W/m·K
CTE (25–1000°C) 4,0–4,5 × 10⁻⁶/℃
Maximal Benotzungstemperatur (ouni Belaaschtung) 1600–1700°C
Flaachheet (iwwer 300 mm) ≤5 μm
Uewerflächenfinish Ra ≤0,4 μm (iwwerlappt)

 

Uwendungen:

● Héichtemperaturspannen (Glühen, RTP, epitaktesch Wuesstem)

● Plasmaätzfutter mat héijer Fluorbeständegkeet

● Dënn Waferbehandlung mat gläichméisseger Heizung/Ofkillung

● Poréis Spannfutter fir kontaktlos Waferënnerstëtzung

 

Produktioun:

SiC-Sinteren → Präzisiounsschleifen vun der Flaachheet a vum Uewerflächenprofil → optional Bildung vu porösen Strukturen (fir Vakuumfutter) → Läppen → Ultraschallreinigung. All Futter gëtt zu 100% op Flaachheet (Laserinterferometer) a Vakuumuniformitéit (Flosstest) iwwerpréift.

 

Qualitéitskontroll:

● CMM Dimensiounskontroll (Duerchmiesser, Déckt, Lächerpositiounen)

● Flaachheetsmessung no ASTM

● Helium-Leckagetest (fir Vakuumfutter)

● Verifizéierung vun der Biegfestigkeit pro Charge (Ref. Testbericht)

 

Virdeeler géintiwwer Aluminiumoxid-Chucks:

● Méi héich Wärmeleitfäegkeet (120–150 vs. 32 W/m·K fir Aluminiumoxid) – 4x méi séier Wärmeiwwerdroung

● Méi niddreg CTE (4,0 vs 7,2×10⁻⁶/℃) – reduzéiert d'Wafer-Wärmestress

● Iwwerleeën Plasmawiderstand – 10x méi laang Liewensdauer beim Fluorätzen

● Méi héich maximal Notzungstemperatur (1600°C vs. 800°C fir Aluminiumoxid)

 

Personnalisatioun:

● Poréis oder gerillt Uewerfläch

● Duerchmiesser 100–450 mm, ronn oder véiereckeg

● Kantdichtring oder Zonenvakuumtreppen

● Metallträgeroptioun fir héichsteif Montage

All mechanesch Donnéeën uewen stamen aus dem geliwwerte Testbericht (Charge S1111). Thermesch a Härtheetswäerter si typesch fir dës SiC-Qualitéit. Poréis SiC-Futterfutter erfuerderen zousätzlech Veraarbechtung; frot w.e.g. no der spezifescher Disponibilitéit vu Porositéit a Poregréisst.


  • Virdrun:
  • Weider: